MJD112G
製造商產品編號:

MJD112G

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

MJD112G-DG

描述:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

庫存:

409 全新原裝現貨
12851187
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MJD112G 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN - Darlington
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
2 A
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
100 V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
電流 - 集電極截止(最大值)
20µA
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大值
1.75 W
頻率 - 過渡
25MHz
工作溫度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
DPAK
基本產品編號
MJD112

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
75
其他名稱
2156-MJD112G-OS
MJD112G-DG
ONSONSMJD112G
MJD112GOS
2832-MJD112G

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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