製造商產品編號:
MBT35200MT1G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
MBT35200MT1G-DG
描述:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP
庫存:
2906 全新原裝現貨
12856073
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MBT35200MT1G 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單極雙極電晶體
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
2 A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
35 V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
310mV @ 20mA, 2A
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
功率 - 最大值
625 mW
頻率 - 過渡
100MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
6-TSOP
基本產品編號
MBT35200
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
MBT35200MT1GOSDKR
ONSONSMBT35200MT1G
=MBT35200MT1GOSCT-DG
MBT35200MT1GOS-DG
2156-MBT35200MT1G-OS
MBT35200MT1GOS
MBT35200MT1GOSCT
MBT35200MT1GOSTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
部件編號
SNSS35200MR6T1G
製造商
onsemi
可用數量
3000
部件號碼
SNSS35200MR6T1G-DG
單位價格
0.18
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
NSS35200MR6T1G
製造商
onsemi
可用數量
3547
部件號碼
NSS35200MR6T1G-DG
單位價格
0.16
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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