製造商產品編號:
IRLS640A
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
IRLS640A-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
详细描述:
N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3
庫存:
12836826
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IRLS640A 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 4.9A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1705 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
40W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IRLS640
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
2832-IRLS640A
IRLS640AFS
IRLS640A-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
ATP302-TL-H
MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
FDS6679Z
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
