製造商產品編號:
HUFA75639S3ST-F085A
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
HUFA75639S3ST-F085A-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12846792
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HUFA75639S3ST-F085A 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
UltraFET™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
56A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
HUFA75
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
HUFA75639S3ST_F085ACT-DG
HUFA75639S3ST-F085ACT
HUFA75639S3ST-F085ADKR
HUFA75639S3ST-F085ATR
HUFA75639S3ST_F085A
HUFA75639S3ST_F085ADKR-DG
HUFA75639S3ST_F085ADKR
HUFA75639S3ST_F085ACT
HUFA75639S3ST_F085ATR-DG
HUFA75639S3ST_F085ATR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
HUF75639S3ST
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
8245
部件號碼
HUF75639S3ST-DG
單位價格
1.19
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
IPB35N10S3L26ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5487
部件號碼
IPB35N10S3L26ATMA1-DG
單位價格
0.81
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