製造商產品編號:
HUF75639P3-F102
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
HUF75639P3-F102-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
详细描述:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
800 全新原裝現貨
12922916
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HUF75639P3-F102 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
56A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
HUF75639
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
2832-HUF75639P3-F102
2832-HUF75639P3-F102-488
HUF75639P3_F102-DG
HUF75639P3_F102
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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