HUF75617D3
製造商產品編號:

HUF75617D3

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

HUF75617D3-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
详细描述:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole I-PAK

庫存:

12850360
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HUF75617D3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
UltraFET™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
16A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
64W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
I-PAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
HUF75

額外資訊

標準套餐
75

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFU3910PBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3219
部件號碼
IRFU3910PBF-DG
單位價格
0.36
替代類型
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