製造商產品編號:
FQU9N25TU
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQU9N25TU-DG
描述:
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
详细描述:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
庫存:
12847415
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FQU9N25TU 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
250 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7.4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
700 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
IPAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
FQU9N25
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
70
其他名稱
ONSONSFQU9N25TU
FQU9N25TU-DG
2832-FQU9N25TU-488
2832-FQU9N25TU
FQU9N25TUOS
2156-FQU9N25TU-OS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
