製造商產品編號:
FQU20N06LTU
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQU20N06LTU-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-PAK
庫存:
3741 全新原裝現貨
12847341
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FQU20N06LTU 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
17.2A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
630 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
I-PAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
FQU20N06
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
70
其他名稱
2832-FQU20N06LTU
FQU20N06LTU-DG
2156-FQU20N06LTU-488
FQU20N06LTUFS
FQU20N06LTUFS-DG
FQU20N06LTUOS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM900N06CH X0G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
48855
部件號碼
TSM900N06CH X0G-DG
單位價格
0.18
替代類型
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