FQU11P06TU
製造商產品編號:

FQU11P06TU

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQU11P06TU-DG

描述:

MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole IPAK

庫存:

12838634
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FQU11P06TU 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
IPAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
FQU11P06

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
70

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FQU17P06TU
製造商
onsemi
可用數量
9839
部件號碼
FQU17P06TU-DG
單位價格
0.40
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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