FQP19N20C_F080
製造商產品編號:

FQP19N20C_F080

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQP19N20C_F080-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3

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FQP19N20C_F080 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
19A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
139W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FQP1

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRF200B211
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4746
部件號碼
IRF200B211-DG
單位價格
0.51
替代類型
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DIGI 認證
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