FQN1N60CTA
製造商產品編號:

FQN1N60CTA

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQN1N60CTA-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

庫存:

17584 全新原裝現貨
12846864
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FQN1N60CTA 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Box (TB)
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1W (Ta), 3W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-92-3
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
基本產品編號
FQN1N60

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,000
其他名稱
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FQN1N50CTA
製造商
onsemi
可用數量
3302
部件號碼
FQN1N50CTA-DG
單位價格
0.24
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STQ1NK60ZR-AP
製造商
STMicroelectronics
可用數量
7349
部件號碼
STQ1NK60ZR-AP-DG
單位價格
0.17
替代類型
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