製造商產品編號:
FQN1N60CTA
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQN1N60CTA-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
庫存:
17584 全新原裝現貨
12846864
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FQN1N60CTA 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Box (TB)
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
300mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
170 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1W (Ta), 3W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-92-3
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
基本產品編號
FQN1N60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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