FQI50N06TU
製造商產品編號:

FQI50N06TU

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQI50N06TU-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

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FQI50N06TU 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
50A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1540 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.75W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262 (I2PAK)
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
FQI50N06

資料表及文件

數據表
FQB50N06TM Datasheet

額外資訊

標準套餐
1,000

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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