FQI4N80TU
製造商產品編號:

FQI4N80TU

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQI4N80TU-DG

描述:

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
详细描述:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

庫存:

線上報價請求
12847848
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FQI4N80TU 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.9A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
880 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 130W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262 (I2PAK)
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
FQI4N80

資料表及文件

數據表
FQB4N80, FQI4N80

額外資訊

標準套餐
1,000

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFBE30LPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
990
部件號碼
IRFBE30LPBF-DG
單位價格
1.08
替代類型
Similar
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
相關產品
alpha-and-omega-semiconductor

AOW7S60

MOSFET N-CH 600V 7A TO262

onsemi

FQPF30N06

MOSFET N-CH 60V 21A TO220F

onsemi

NTD20N03L27G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

onsemi

FQNL2N50BTA

MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3