FQI13N50CTU
製造商產品編號:

FQI13N50CTU

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQI13N50CTU-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
详细描述:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

庫存:

12849505
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FQI13N50CTU 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
500 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
13A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
195W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262 (I2PAK)
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
FQI13N50

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
1,000

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFSL11N50APBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
IRFSL11N50APBF-DG
單位價格
1.49
替代類型
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