製造商產品編號:
FQD11P06TF
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQD11P06TF-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
12849046
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FQD11P06TF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FQD1
額外資訊
標準套餐
2,000
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
AO3424
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
FQP8P10
MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
FQPF6N40CT
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
