製造商產品編號:
FQB8N60CTM-WS
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQB8N60CTM-WS-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12838618
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FQB8N60CTM-WS 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1255 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 147W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB8
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
FQB8N60CTM-WSTR
FQB8N60CTM_WSCT
FQB8N60CTM-WSCT
FQB8N60CTM_WSDKR-DG
FQB8N60CTM_WSTR
FQB8N60CTM-WSDKR
FQB8N60CTM_WSDKR
FQB8N60CTM_WS
FQB8N60CTM_WSTR-DG
FQB8N60CTM_WSCT-DG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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