FQB6N80TM
製造商產品編號:

FQB6N80TM

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQB6N80TM-DG

描述:

MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
详细描述:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

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FQB6N80TM 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5.8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 158W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB6N80

資料表及文件

HTML 資料表
FQB6N80TM-DG
資料表
FQB6N80TM
數據表
FQB6N80

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STB7NK80ZT4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
4410
部件號碼
STB7NK80ZT4-DG
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