FQB34P10TM-F085
製造商產品編號:

FQB34P10TM-F085

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQB34P10TM-F085-DG

描述:

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
详细描述:
P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

12838311
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FQB34P10TM-F085 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
33.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2910 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB34P10

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
FQB34P10TM_F085CT
FQB34P10TM_F085CT-DG
FQB34P10TM-F085TR
FQB34P10TM_F085P
FQB34P10TM_F085TR
FQB34P10TM-F085DKR
FQB34P10TM_F085TR-DG
FQB34P10TM-F085CT
FQB34P10TM_F085
FQB34P10TM_F085DKR
FQB34P10TM_F085DKR-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
FQB34P10TM
製造商
onsemi
可用數量
0
部件號碼
FQB34P10TM-DG
單位價格
1.23
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
IRF5305STRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
11470
部件號碼
IRF5305STRLPBF-DG
單位價格
0.61
替代類型
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單位價格
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