製造商產品編號:
FQB27N25TM-F085
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQB27N25TM-F085-DG
描述:
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
详细描述:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12837468
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FQB27N25TM-F085 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
250 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
25.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
131mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
417W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB27
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
FQB27N25TM_F085TR-DG
FQB27N25TM-F085DKR
FQB27N25TM_F085-DG
FQB27N25TM_F085CT-DG
FQB27N25TM_F085TR
2832-FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM_F085
FQB27N25TM_F085CT
FQB27N25TM_F085DKR-DG
FQB27N25TM-F085CT
FQB27N25TM_F085DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB600N25N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4968
部件號碼
IPB600N25N3GATMA1-DG
單位價格
1.32
替代類型
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