製造商產品編號:
FQB12P10TM
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQB12P10TM-DG
描述:
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
详细描述:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
12838538
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FQB12P10TM 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.75W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB1
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
800
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRF5210STRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
7933
部件號碼
IRF5210STRLPBF-DG
單位價格
1.26
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
IRFS350A
MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF
AUIRFR6215
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
FQU5N50CTU-WS
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
