製造商產品編號:
FQA10N80C-F109
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQA10N80C-F109-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
详细描述:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
庫存:
12838452
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FQA10N80C-F109 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
240W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-3P
包裝 / 外殼
TO-3P-3, SC-65-3
基本產品編號
FQA10
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
ONSONSFQA10N80C-F109
FQA10N80C_F109FS-DG
FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109-DG
FQA10N80CF109
2156-FQA10N80C-F109-OS
FQA10N80C_F109FS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
HUFA76419D3
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
FDMS86580-F085
MOSFET N-CH 60V 50A POWER56