製造商產品編號:
FJV3112RMTF
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FJV3112RMTF-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
庫存:
12835620
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FJV3112RMTF 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
40 V
電阻器 - 基座 （R1）
47 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包
SOT-23-3
基本產品編號
FJV311
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
部件編號
RN1413(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
115
部件號碼
RN1413(TE85L,F)-DG
單位價格
0.03
替代類型
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