製造商產品編號:
FDS8333C
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDS8333C-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
庫存:
12847296
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDS8333C 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.1A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
282pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
FDS83
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
2,500
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
相關產品
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
FDPC5030SG
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
EFC2J022NUZTCG
MOSFET N-CH 12V 2.2MOHM WLCSP10
