FDS6961A_F011
製造商產品編號:

FDS6961A_F011

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDS6961A_F011-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC

庫存:

12837280
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FDS6961A_F011 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
FDS69

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
4,000

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
IRF9956TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
297
部件號碼
IRF9956TRPBF-DG
單位價格
0.43
替代類型
Direct
DIGI 認證
相關產品
onsemi

FDMD82100L

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

onsemi

FDS6986AS

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC

onsemi

FDG6301N-F085P

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

onsemi

FDMD8540L

MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6