FDS6699S
製造商產品編號:

FDS6699S

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDS6699S-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:
N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

庫存:

12839007
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FDS6699S 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®, SyncFET™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
21A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3610 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
FDS6699

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
2832-FDS6699STR
FDS6699STR
FDS6699SDKR
ONSONSFDS6699S
FDS6699SCT
2156-FDS6699S-OS
FDS6699S-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
TSM042N03CS RLG
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
14182
部件號碼
TSM042N03CS RLG-DG
單位價格
0.68
替代類型
Similar
部件編號
IRF8734TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
162090
部件號碼
IRF8734TRPBF-DG
單位價格
0.37
替代類型
Direct
部件編號
SI4368DY-T1-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
1330
部件號碼
SI4368DY-T1-E3-DG
單位價格
0.98
替代類型
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