製造商產品編號:
FDR8508P
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDR8508P-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 3A SUPERSOT 8
详细描述:
Mosfet Array 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
庫存:
12851196
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FDR8508P 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12nC @ 5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
750pF @ 15V
功率 - 最大值
800mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供應商設備包
SuperSOT™-8
基本產品編號
FDR85
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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