製造商產品編號:
FDR6674A
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDR6674A-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 11.5A SUPERSOT8
详细描述:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
庫存:
12836189
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDR6674A 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11.5A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5070 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SuperSOT™-8
包裝 / 外殼
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
基本產品編號
FDR66
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
FQB8N60CTM
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
ATP301-TL-H
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
5HN01M-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
