製造商產品編號:
FDPF10N60NZ
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDPF10N60NZ-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
庫存:
12837421
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDPF10N60NZ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
UniFET-II™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1475 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
38W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220F-3
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
FDPF10
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPAN65R650CEXKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
462
部件號碼
IPAN65R650CEXKSA1-DG
單位價格
0.43
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
FDS3512
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDP15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3