FDP52N20
製造商產品編號:

FDP52N20

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDP52N20-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

12848622
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FDP52N20 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
UniFET™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
52A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
357W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FDP52

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXTP50N20P
製造商
IXYS
可用數量
149
部件號碼
IXTP50N20P-DG
單位價格
2.26
替代類型
Similar
部件編號
IRFB260NPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1094
部件號碼
IRFB260NPBF-DG
單位價格
1.16
替代類型
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DIGI 認證
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