FDP42AN15A0
製造商產品編號:

FDP42AN15A0

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDP42AN15A0-DG

描述:

MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
详细描述:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

12847631
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FDP42AN15A0 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
150 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
5A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FDP42

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
FDP42AN15A0FS
FDP42AN15A0-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFB5615PBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2529
部件號碼
IRFB5615PBF-DG
單位價格
0.79
替代類型
Similar
部件編號
IXTP62N15P
製造商
IXYS
可用數量
27
部件號碼
IXTP62N15P-DG
單位價格
2.12
替代類型
Similar
部件編號
IRFB4615PBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2079
部件號碼
IRFB4615PBF-DG
單位價格
0.74
替代類型
Similar
部件編號
IXTP42N15T
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTP42N15T-DG
單位價格
2.22
替代類型
Similar
部件編號
IRFZ14PBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
57829
部件號碼
IRFZ14PBF-DG
單位價格
0.44
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
onsemi

NTP45N06L

MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB

onsemi

FQI50N06LTU

MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK

onsemi

FDMS3D5N08LC

MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN

onsemi

FDMS5362L-F085

MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56