製造商產品編號:
FDP085N10A
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDP085N10A-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
详细描述:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
12846572
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDP085N10A 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
96A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 96A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2695 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
188W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FDP085
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
50
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK34E10N1,S1X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
5
部件號碼
TK34E10N1,S1X-DG
單位價格
0.53
替代類型
Similar
部件編號
PSMN009-100P,127
製造商
NXP Semiconductors
可用數量
291
部件號碼
PSMN009-100P,127-DG
單位價格
1.44
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
NVMFS4C03NT1G
MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
FDN360P-NBGT003B
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
FDS8842NZ
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
