FDP027N08B-F102
製造商產品編號:

FDP027N08B-F102

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDP027N08B-F102-DG

描述:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
详细描述:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

740 全新原裝現貨
12849985
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FDP027N08B-F102 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
80 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
120A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
13530 pF @ 40 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
246W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FDP027

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
FDP027N08B_F102
FDP027N08B_F102-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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