製造商產品編號:
FDN5618P-B8
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDN5618P-B8-DG
描述:
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
详细描述:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 460mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-3
庫存:
12969780
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FDN5618P-B8 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.25A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
430 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
460mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SuperSOT™-3
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
488-FDN5618P-B8TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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