製造商產品編號:
FDMS9600S
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDMS9600S-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
详细描述:
Mosfet Array 30V 12A, 16A 1W Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
庫存:
12838648
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDMS9600S 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1705pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerWDFN
供應商設備包
8-MLP (5x6), Power56
基本產品編號
FDMS9600
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDMS9600SCT
FDMS9600STR
FDMS9600SDKR
2832-FDMS9600S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
FDC8602
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8