FDMS9600S
製造商產品編號:

FDMS9600S

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDMS9600S-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
详细描述:
Mosfet Array 30V 12A, 16A 1W Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

庫存:

12838648
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FDMS9600S 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1705pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerWDFN
供應商設備包
8-MLP (5x6), Power56
基本產品編號
FDMS9600

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
FDMS9600SCT
FDMS9600STR
FDMS9600SDKR
2832-FDMS9600S

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
CSD16410Q5A
製造商
Texas Instruments
可用數量
2506
部件號碼
CSD16410Q5A-DG
單位價格
0.27
替代類型
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CSD16404Q5A
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