製造商產品編號:
FDMS86200DC
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDMS86200DC-DG
描述:
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
详细描述:
N-Channel 150 V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
庫存:
12847666
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FDMS86200DC 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
Dual Cool™, PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
150 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.3A (Ta), 28A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2955 pF @ 75 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.2W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-PQFN (5x6)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
FDMS86200
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDMS86200DCTR
FDMS86200DC-DG
FDMS86200DCCT
2156-FDMS86200DC-488
FDMS86200DCDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSC190N15NS3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
9937
部件號碼
BSC190N15NS3GATMA1-DG
單位價格
1.26
替代類型
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