FDMS8558S
製造商產品編號:

FDMS8558S

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDMS8558S-DG

描述:

MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
详细描述:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 90A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

庫存:

12837753
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FDMS8558S 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®, SyncFET™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
25 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
33A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.2V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±12V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
5118 pF @ 13 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-PQFN (5x6)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
FDMS85

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
FDMS8558SCT
FDMS8558S-DG
FDMS8558STR
FDMS8558SDKR
2832-FDMS8558S-488

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
CSD16401Q5T
製造商
Texas Instruments
可用數量
602
部件號碼
CSD16401Q5T-DG
單位價格
1.28
替代類型
Similar
部件編號
CSD16401Q5
製造商
Texas Instruments
可用數量
5449
部件號碼
CSD16401Q5-DG
單位價格
1.02
替代類型
Similar
部件編號
BSC018NE2LSIATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
9750
部件號碼
BSC018NE2LSIATMA1-DG
單位價格
0.50
替代類型
Similar
部件編號
BSC014NE2LSIATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
18735
部件號碼
BSC014NE2LSIATMA1-DG
單位價格
0.57
替代類型
Similar
部件編號
BSZ018NE2LSATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
9111
部件號碼
BSZ018NE2LSATMA1-DG
單位價格
0.56
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
infineon-technologies

BSS159N E6906

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

onsemi

FQB4N80TM

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

onsemi

ECH8315-TL-H

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8ECH

onsemi

FDP5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3