製造商產品編號:
FDMD8900
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDMD8900-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
详细描述:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
庫存:
12836397
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FDMD8900 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2605pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
12-PowerWDFN
供應商設備包
12-Power3.3x5
基本產品編號
FDMD89
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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