製造商產品編號:
FDMC6675BZ
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDMC6675BZ-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
详细描述:
P-Channel 30 V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
庫存:
6050 全新原裝現貨
12851492
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FDMC6675BZ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.5A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2865 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-MLP (3.3x3.3)
包裝 / 外殼
8-PowerWDFN
基本產品編號
FDMC6675
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDMC6675BZDKR
FDMC6675BZCT
2832-FDMC6675BZTR
FDMC6675BZTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SI7121ADN-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
9953
部件號碼
SI7121ADN-T1-GE3-DG
單位價格
0.18
替代類型
Similar
部件編號
BSZ120P03NS3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
19982
部件號碼
BSZ120P03NS3GATMA1-DG
單位價格
0.26
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