FDM606P
製造商產品編號:

FDM606P

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDM606P-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
详细描述:
P-Channel 20 V 6.8A (Tc) 1.92W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)

庫存:

12846291
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FDM606P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±8V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.92W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-MLP, MicroFET (3x2)
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
基本產品編號
FDM606

額外資訊

標準套餐
3,000

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
NTHS4101PT1G
製造商
onsemi
可用數量
8830
部件號碼
NTHS4101PT1G-DG
單位價格
0.36
替代類型
Direct
DIGI 認證
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