製造商產品編號:
FDI038AN06A0
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDI038AN06A0-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
庫存:
12851256
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FDI038AN06A0 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
17A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
310W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-262 (I2PAK)
包裝 / 外殼
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本產品編號
FDI038
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
2832-FDI038AN06A0
2832-FDI038AN06A0-488
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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