FDFS2P106A
製造商產品編號:

FDFS2P106A

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDFS2P106A-DG

描述:

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
详细描述:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

庫存:

12846424
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FDFS2P106A 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
714 pF @ 30 V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
900mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
FDFS2P106

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
FDFS2P106ADKR
FDFS2P106ATR
FDFS2P106A_NLCT-DG
FDFS2P106A_NL
FDFS2P106A_NLTR-DG
FDFS2P106ACT
FDFS2P106ACT-NDR
FDFS2P106A_NLCT
FDFS2P106A_NLTR
FDFS2P106ATR-NDR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
FDC5614P
製造商
onsemi
可用數量
28526
部件號碼
FDC5614P-DG
單位價格
0.17
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PJL9433A_R2_00001
製造商
Panjit International Inc.
可用數量
7460
部件號碼
PJL9433A_R2_00001-DG
單位價格
0.13
替代類型
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