FDFS2P102
製造商產品編號:

FDFS2P102

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDFS2P102-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
详细描述:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

庫存:

12846459
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FDFS2P102 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET 特性
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
900mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
FDFS2

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
FDFS2P102_NLCT-DG
FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLTR-DG
FDFS2P102TR-NDR
FDFS2P102_NLTR
FDFS2P102CT
FDFS2P102CT-NDR
FDFS2P102_NL
FDFS2P102TR
FDFS2P102DKR

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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