製造商產品編號:
FDD8882
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDD8882-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
详细描述:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
343 全新原裝現貨
12847791
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FDD8882 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1260 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
55W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FDD888
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FDD8882DKR
ONSONSFDD8882
FDD8882TR
FDD8882-DG
2156-FDD8882-OS
2832-FDD8882TR
FDD8882CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD30N03S4L14ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
18945
部件號碼
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
單位價格
0.28
替代類型
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部件編號
IPD70N03S4L04ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5130
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單位價格
0.48
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Infineon Technologies
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單位價格
0.26
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Nexperia USA Inc.
可用數量
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單位價格
0.47
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