製造商產品編號:
FDD86581-F085
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDD86581-F085-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
庫存:
9781 全新原裝現貨
12839637
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDD86581-F085 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
25A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
880 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
48.4W (Tj)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252 (DPAK)
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FDD86581
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FDD86581-F085-DG
FDD86581_F085-DG
FDD86581_F085
FDD86581-F085OSDKR
FDD86581-F085OSCT
FDD86581-F085OSTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD50N06S4L12ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
17005
部件號碼
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
單位價格
0.40
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
MTD3055V
MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3
FDS3612
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
2SK302500L
MOSFET N-CH 60V 30A U-DL
