FDD5N50NZFTM
製造商產品編號:

FDD5N50NZFTM

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDD5N50NZFTM-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
详细描述:
N-Channel 500 V 3.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

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FDD5N50NZFTM 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
UniFET-II™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
500 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.7A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
485 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
62.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FDD5N50

資料表及文件

數據表
FDD5N50NZFTM Datasheet

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
FDD5N50NZFTMCT
FDD5N50NZFTM-DG
2156-FDD5N50NZFTM-OS
FDD5N50NZFTMDKR
FDD5N50NZFTMTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRFR825TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
52779
部件號碼
IRFR825TRPBF-DG
單位價格
0.84
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可用數量
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單位價格
0.44
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cr
certification_015
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