FDD45AN06LA0
製造商產品編號:

FDD45AN06LA0

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDD45AN06LA0-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 5.2A/25A TO252AA
详细描述:
N-Channel 60 V 5.2A (Ta), 25A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

庫存:

12837198
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FDD45AN06LA0 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
5.2A (Ta), 25A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
880 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
55W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FDD45

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
FDD45AN06LA0DKR
FDD45AN06LA0CT
FDD45AN06LA0-DG
FDD45AN06LA0TR

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STD20NF06LT4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
6475
部件號碼
STD20NF06LT4-DG
單位價格
0.50
替代類型
Similar
部件編號
IPD25N06S240ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2445
部件號碼
IPD25N06S240ATMA2-DG
單位價格
0.30
替代類型
Similar
部件編號
PMT280ENEAX
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
3365
部件號碼
PMT280ENEAX-DG
單位價格
0.11
替代類型
Similar
部件編號
IPD26N06S2L35ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2296
部件號碼
IPD26N06S2L35ATMA2-DG
單位價格
0.34
替代類型
Similar
部件編號
IPD350N06LGBTMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4704
部件號碼
IPD350N06LGBTMA1-DG
單位價格
0.30
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
onsemi

FQPF7N65CYDTU

MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3

onsemi

FCH150N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

onsemi

FDPF39N20TLDTU

MOSFET N-CH 200V 39A TO220F

onsemi

FDP100N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3