製造商產品編號:
FDC658P
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDC658P-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
详细描述:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
庫存:
2211 全新原裝現貨
12849028
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FDC658P 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
750 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SuperSOT™-6
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
FDC658
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDC658PDKR
FDC658PTR
FDC658P-DG
FDC658PCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSL307SPH6327XTSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2450
部件號碼
BSL307SPH6327XTSA1-DG
單位價格
0.23
替代類型
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