製造商產品編號:
FDC6506P
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDC6506P-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
详细描述:
Mosfet Array 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
庫存:
12846872
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FDC6506P 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
3.5nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
190pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
SuperSOT™-6
基本產品編號
FDC6506
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDC6506PDKR
FDC6506PTR
FDC6506PCT
Q9903416
2156-FDC6506PTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
PJS6809_S1_00001
製造商
Panjit International Inc.
可用數量
12307
部件號碼
PJS6809_S1_00001-DG
單位價格
0.10
替代類型
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