製造商產品編號:
FDC636P
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDC636P-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
详细描述:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
庫存:
12848361
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FDC636P 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.8A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
390 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SuperSOT™-6
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本產品編號
FDC636
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDC636P-DG
FDC636PCT
FDC636PDKR
FDC636PTR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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