FDC6302P
製造商產品編號:

FDC6302P

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDC6302P-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
详细描述:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

庫存:

12836886
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FDC6302P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
25V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
120mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
SuperSOT™-6
基本產品編號
FDC6302

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
NTJD4152PT1G
製造商
onsemi
可用數量
15411
部件號碼
NTJD4152PT1G-DG
單位價格
0.10
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
onsemi

FDMS1D2N03DSD

MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN

onsemi

FDMS3604AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

onsemi

FDS6984S

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC

onsemi

ECH8652-TL-H

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH